Forse parlo arabo... ci riprovo.
Roswell1947 ha scritto:EnChamade non ho capito perché il nodo a all'istante t=0- è pari a 2V-epsilon e poi a t=0+ diventa 5V+epislon
Roswell1947, come detto parti con l'analisi posizionandoti nei pressi di una delle situazioni che provocano la commutazione. Se non fai così ti analizzi il transitorio che si ha all'accensione del circuito. Io ho scelto di mettermi nel caso in cui

sta crescendo e quindi parto con l'analisi nel momento in cui

(questo è

). Un istante infinitesimo prima

é sotto alla soglia di un'infinitesimo e un'istante dopo

é sopra alla soglia sempre di un valore infinitesimo (il famoso

). Questo è necessario farlo per una correttezza puramente teorica. Infatti l'invertitore è ideale e quindi alla soglia di commutazione l'uscita è definita di solito a

.
Quindi, all'istante

hai la commutazione di entrambi gli invertitori a

che, per ipotesi di idealità, è trascurabile. Tuttavia in questa condizione devi assumere che durante la commutazione il condensatore si caricherà ancora di un'

infinitesimo per portare gli invertitori ad una posizione stabile, oltre la soglia di commutazione. Quindi, per

avrai che:
1) Il condensatore mantiene la sua tensione di carica (i famosi 2V+

).
2) l'uscita del secondo invertitore si porta a 3 V.
Ne consegue che il nodo

di porta a quei famosi 5V+

, la somma delle due tensioni.
Roswell1947 ha scritto:inoltre Va=Vy-Vc o sbaglio?
Si, e mentre

può assumere solo i valori 0V e 3V,

è continua e può avere segni deversi. Devi però definire i versi su uno schema elettrico prima di mettere giù equazioni. Io nel mio discorso ho implicitamente assunto questi riferimenti.
P.S.1: Lo usiamo questo Latex?
P.S.2: dove studi? e cosa?
djnz ha scritto:Lo schema è incompleto, e senza sapere se ci si aspetta un comportamento reale (con diodi clamp sugli ingressi) o ideale (con porta che accetta tensioni ampiamente eccedenti l'alimentazione) per me l'esercizio non può essere svolto.
djnz, non è così. Nella tecnologia CMOS non è così peregrino avere ingressi sopra le tensioni di alimentazione, a patto di dimensionare opportunamente l'ossido dei dispositivi MOS. Si fa tranquillamente.