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Drogaggio sacca (well) MOSFET

Elettronica lineare e digitale: didattica ed applicazioni

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[1] Drogaggio sacca (well) MOSFET

Messaggioda Foto Utentenordest » 15 giu 2019, 23:49

Buonasera. Vi chiedo per favore di aiutarmi a capire il mio dubbio sulla consegna dell'esercizio. Secondo me è poco chiaro:
Si deve realizzare un MOSFET a canale n a partire da uno strato epitassiale n-Si con livello di drogaggio N_D = 3\times 10^{15} cm^{-3} in cui viene realizzata una sacca (well) di tipo p impiantando drogante in modo che la concentrazione (in prima approssimazione uniforme in prossimità della superficie) sia N_A = 8\times 10^{15} cm^{-3}.

Come lo capisco io quel N_A è il risultato finale dopo il drogaggio. (cioè la concentrazione di accettori dopo la ricombinazione) . Invece guardando lo schema del prof. vedo che lui mette ancora N_A+N_D e infatti dopo per il calcolo delle funzioni di lavoro toglie N_{well}=N_A-N_D .

Di solito si deve sembre interpretare così come ha fatto il prof? Secondo me non era chiarissimo.

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[2] Re: Drogaggio sacca (well) MOSFET

Messaggioda Foto UtentePioz » 16 giu 2019, 22:34

Ciao.

Stai confondendo gli atomi droganti con il numero di portatori liberi. Dopo la ricombinazione gli atomi accettori o donatori impiantati sono gli stessi di prima, cio' che cambia e' solo il numero di elettroni e lacune. Il "drogaggio equivalente" in termine di portatori liberi e' quindi la differenta dei due.

Il qualche caso pero' il drogaggio equivalente e' dato dalla somma dei due contributi. Un esempio sono le mobilita' di elettroni e lacune che dipendono da quante "irregolarita'" ci sono nel reticolo, e quindi dalla concentrazione complessiva di atomi droganti.
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[3] Re: Drogaggio sacca (well) MOSFET

Messaggioda Foto Utentenordest » 17 giu 2019, 15:46

Grazie per la risposta ora ci sono
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