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parametri LTSpice MOSFET model

Circuiti, campi elettromagnetici e teoria delle linee di trasmissione e distribuzione dell’energia elettrica

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[1] parametri LTSpice MOSFET model

Messaggioda Foto Utentecianfa72 » 27 giu 2011, 12:09

Ciao a tutti,

sto utilizzando LTSpice per simulare un circuito a mosfet. Nei modelli della librebria standard.MOS sono presenti alcuni parametri a me non molto chiari. Ad es il parametro Vds che per i PMOS è negativo (ad es Vds=-60)

A cosa si riferisce e come e' usato dal simulatore ?

grazie.
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[2] Re: parametri LTSpice MOSFET model

Messaggioda Foto UtenteRenzoDF » 27 giu 2011, 17:00

cianfa72 ha scritto:... standard.MOS sono presenti alcuni parametri a me non molto chiari. Ad es il parametro Vds che per i PMOS è negativo (ad es Vds=-60) A cosa si riferisce e come e' usato dal simulatore ?


Molte volte basta leggere l'LTspiceHelp ;-)

"... The initial condition specification using IC=VDS, VGS, VBS is for use with the UIC option on the .TRAN control line, when a transient analysis is desired starting from other than the quiescent operating point..."
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[3] Re: parametri LTSpice MOSFET model

Messaggioda Foto UtenteIsidoroKZ » 27 giu 2011, 17:14

Nei modelli piu` semplici del MOS la massima tensione drain source non mi pare sia modellata. Se c'e` e` probabilmente un parametro che comincia con la lettera B, ma il breakdown nei dipositivi complicati di solito non e` simulato, perche' tipicamente quando si simula un circuito non si cerca la risposta alla domanda "vediamo se brucia", ma si dice "vediamo i dettagli del funzionamento"
Per usare proficuamente un simulatore, bisogna sapere molta più elettronica di lui
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