parametri LTSpice MOSFET model
Inviato:
27 giu 2011, 12:09da cianfa72
Ciao a tutti,
sto utilizzando LTSpice per simulare un circuito a mosfet. Nei modelli della librebria standard.MOS sono presenti alcuni parametri a me non molto chiari. Ad es il parametro Vds che per i PMOS è negativo (ad es Vds=-60)
A cosa si riferisce e come e' usato dal simulatore ?
grazie.
Re: parametri LTSpice MOSFET model
Inviato:
27 giu 2011, 17:00da RenzoDF
cianfa72 ha scritto:... standard.MOS sono presenti alcuni parametri a me non molto chiari. Ad es il parametro Vds che per i PMOS è negativo (ad es Vds=-60) A cosa si riferisce e come e' usato dal simulatore ?
Molte volte basta leggere l'LTspiceHelp
"... The initial condition specification using IC=VDS, VGS, VBS is for use with the UIC option on the .TRAN control line, when a transient analysis is desired starting from other than the quiescent operating point..."
Re: parametri LTSpice MOSFET model
Inviato:
27 giu 2011, 17:14da IsidoroKZ
Nei modelli piu` semplici del MOS la massima tensione drain source non mi pare sia modellata. Se c'e` e` probabilmente un parametro che comincia con la lettera B, ma il breakdown nei dipositivi complicati di solito non e` simulato, perche' tipicamente quando si simula un circuito non si cerca la risposta alla domanda "vediamo se brucia", ma si dice "vediamo i dettagli del funzionamento"